近日，柘宇电气正式推出第四代全碳化硅（SiC）电能质量治理产品，依托 SiC MOSFET 核心技术突破，实现损耗、体积、响应速度、可靠性全面升级，为工业制造、数据中心、医疗、商业建筑等场景提供更高效、更稳定、更节能的 APF/SVG 综合治理方案。
相较于传统硅基（Si）IGBT 方案，柘宇电气 SiC 产品实现六大核心技术突破：采用主功率 + 辅助电源全碳化硅设计，开关频率突破100kHz，输出波形更纯净，纹波更小，适配精密设备供电场景；搭载FPGA+ARM 双核架构，运算速度低至4μs，响应更快、控制更精准；直流侧供电技术可实现零线对地电压＜2V，满足实验室、医疗等高安全标准要求。
产品具备强三防工艺，通过电子胶灌注实现防水、防尘、防潮，可在导电粉尘、潮湿等恶劣工况稳定运行；内部优化布局与创新并联技术，解决均流难、易炸机等行业痛点，使用寿命大幅延长。
在关键性能对比中，柘宇 SiC 产品优势显著：整机效率最高达 99%，损耗仅 1.5%，较 IGBT 方案年省电超 40%；50A 模块体积下降超 55%、重量下降超 60%，单柜装机容量最高可达 1000A，大幅节省柜内空间。
经现场实测验证，SiC 产品可将电压畸变率从27.8% 降至 4.9%，电流谐波滤除率超 97%，温升降低 18℃、噪声降低 12dB，全面优于国标要求，可稳定应对高谐波、强冲击、电压波动等复杂工况。
目前，柘宇电气 SiC 系列产品已覆盖20A–200A全电流规格，无功容量30kvar–150kvar，适配 175–440V 宽电压范围，广泛应用于汽车制造、化工、光伏、港口、医院、数据中心等领域，已服务京东方、华能风电、三甲医院、机场枢纽等百余家行业龙头项目，以硬核技术助力用户降低能耗、节省电费、保障设备安全稳定运行。
