SiC器件的优势

碳化硅（SiC）是制作高温高频、大功率高压器件的理想材料之一。主要由硅元素和碳元素组合而成的一种化合物半导体材料。

作为第三代半导体材料的核心，主要用于功率+射频器件，适用于600V以上的高压场景，包括光伏、新能源汽车、充电桩、风电、

轨道交通等等电力电子领域。

同第一代半导体材料硅 (Si) 相比，其禁带宽度是硅 (Si)的3倍,击穿电压为其8-10倍,导热率是其4-5倍，电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。

耐高压特征:阻抗更低，禁带宽度更宽，能承受更大的电流和电压，带来更小产品尺寸和更高效率

耐高频特征:不存在电流拖尾现象，是硅(Si)开关速度的3-10倍

耐高温特征:碳化硅(SiC)拥有非常高的导热率，相较硅(Si)来讲，能在更高的温度下工作

核心技术

>   全碳化硅设计： 主功率电源（ SiC ）+ 辅助电源（ SiC ），真正低损耗

>   直流侧供电技术：不产生额外谐波

>   双核架构：界面响应快 ，示波器显示效果